ক্যাপাসিটার ডাইলেট্রিক উপকরণ এবং পারফরম্যান্স অপ্টিমাইজেশনের কার্যনির্বাহী নীতি

বৈদ্যুতিন সার্কিটগুলিতে গুরুত্বপূর্ণ উপাদান হিসাবে, এর পারফরম্যান্স ক্যাপাসিটার এস মূলত তাদের ডাইলেট্রিক উপকরণগুলির বৈশিষ্ট্যের উপর নির্ভর করে। ডাইলেট্রিক উপকরণগুলির কার্যকরী নীতিগুলি প্রাথমিকভাবে দুটি মূল পরামিতি জড়িত: ব্রেকডাউন ফিল্ড শক্তি এবং ডাইলেট্রিক ধ্রুবক। ক্যাপাসিটর কার্যকারিতা অনুকূলকরণের জন্য এই নীতিগুলি বোঝা অপরিহার্য।

ব্রেকডাউন ক্ষেত্রের শক্তি উন্নত করার জন্য প্রক্রিয়া
শক্ত ডাইলেট্রিক উপকরণগুলিতে ব্রেকডাউন ঘটনাকে তিন ধরণের শ্রেণিবদ্ধ করা যেতে পারে: বৈদ্যুতিক ভাঙ্গন, তাপ ভাঙ্গন এবং আংশিক স্রাবের ভাঙ্গন, বৈদ্যুতিক ভাঙ্গন অভ্যন্তরীণ প্রক্রিয়া হিসাবে। এই তত্ত্বটি গ্যাস স্রাবের সংঘর্ষ তত্ত্বের উপর ভিত্তি করে, ব্রেকডাউন ফিল্ড শক্তি এবং ইলেক্ট্রন মানে মুক্ত পথের মধ্যে ঘনিষ্ঠ সম্পর্ক প্রকাশ করে। গবেষণা দেখায় যে ব্রেকডাউন ক্ষেত্রের শক্তি উন্নয়নের মূল চাবিকাঠি কার্যকরভাবে বৈদ্যুতিন স্থানান্তরকে দমন করার মধ্যে রয়েছে। চিত্র 5-23 সলিড ডাইলেট্রিকগুলিতে ব্রেকডাউন ক্ষেত্রের শক্তি এবং ভোল্টেজ প্রয়োগের সময়ের মধ্যে সম্পর্কের বক্ররেখা প্রদর্শন করে, যখন চিত্র 5-4 আরও ইলেক্ট্রন শিল্ডিং রিপল মডেলের মাধ্যমে এই ঘটনাটি ব্যাখ্যা করে। ব্যবহারিক অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে, ইলেক্ট্রন মানে ফ্রি পাথ প্রসারিত করার জন্য উপাদানের মাইক্রোস্ট্রাকচারকে অনুকূল করে তোলা ডাইলেট্রিকের ভোল্টেজ সহ্য করার ক্ষমতা উল্লেখযোগ্যভাবে বাড়িয়ে তুলতে পারে।

ডাইলেট্রিক ধ্রুবক বাড়ানোর জন্য মেরুকরণ প্রক্রিয়া
ডাইলেট্রিক ধ্রুবকের উন্নতি বিভিন্ন মেরুকরণ ব্যবস্থার সম্মিলিত প্রভাবগুলির উপর নির্ভর করে। স্থানচ্যুতি মেরুকরণের মধ্যে দুটি ফর্ম অন্তর্ভুক্ত রয়েছে: বৈদ্যুতিন স্থানচ্যুতি মেরুকরণ এবং আয়নিক স্থানচ্যুতি মেরুকরণ। পূর্ববর্তীটি পারমাণবিক নিউক্লিয়াসের তুলনায় বৈদ্যুতিন মেঘের স্থানচ্যুতি থেকে উদ্ভূত হয়, যখন পরবর্তীকালে ইতিবাচক এবং নেতিবাচক আয়নগুলির আপেক্ষিক স্থানচ্যুতি থেকে আসে। ওরিয়েন্টাল পোলারাইজেশন মেরু অণুতে ঘটে, যেখানে আণবিক ডিপোলগুলি একটি বাহ্যিক বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের অধীনে সারিবদ্ধ হয়। থার্মিয়োনিক মেরুকরণ তাপমাত্রার সাথে ঘনিষ্ঠভাবে সম্পর্কিত এবং স্ফটিক জালির মধ্যে আয়নগুলির তাপীয় অ্যাক্টিভেশন প্রক্রিয়া জড়িত। স্পেস চার্জ পোলারাইজেশন (ইন্টারফেসিয়াল মেরুকরণ হিসাবেও পরিচিত) ডাইলেট্রিক ইনহোমোজিনিটিসগুলিতে ঘটে, যা ইন্টারফেসে চার্জ ক্যারিয়ার জমে দ্বারা গঠিত হয়। এই মেরুকরণ প্রক্রিয়াগুলির সিনারজিস্টিক প্রভাবগুলি উপাদানের ম্যাক্রোস্কোপিক ডাইলেট্রিক বৈশিষ্ট্যগুলি নির্ধারণ করে।

কর্মক্ষমতা অপ্টিমাইজেশনের জন্য ভারসাম্য কৌশল
ব্যবহারিক ক্যাপাসিটার ডিজাইনে, ব্রেকডাউন ফিল্ড শক্তি এবং ডাইলেট্রিক ধ্রুবকের মধ্যে একটি ভারসাম্য চাওয়া আবশ্যক। উচ্চ ডাইলেট্রিক ধ্রুবকযুক্ত উপকরণগুলি প্রায়শই নিম্ন ব্রেকডাউন ক্ষেত্রের শক্তি প্রদর্শন করে, যখন উচ্চ-ভোল্টেজ-প্রতিরোধী উপকরণগুলিতে সাধারণত পরিমিত ডাইলেট্রিক ধ্রুবক থাকে। ন্যানোকম্পোসাইটস এবং ইন্টারফেস ইঞ্জিনিয়ারিংয়ের মতো উন্নত উপাদান নকশা পদ্ধতির মাধ্যমে ক্যাপাসিটার ডাইলেট্রিক উপকরণগুলি বিকাশের জন্য উভয় পরামিতি একই সাথে অনুকূলিত করা যেতে পারে। এই মৌলিক নীতিগুলি বোঝা নতুন শক্তি সঞ্চয়স্থান উপকরণগুলির বিকাশের জন্য তাত্ত্বিক দিকনির্দেশনা সরবরাহ করে