আইজিবিটি বাফার ফিল্ম ক্যাপাসিটারগুলিতে ডাইলেট্রিক ক্ষতির বৈশিষ্ট্য এবং তাদের প্রভাব বিশ্লেষণ

1। ডাইলেট্রিক ক্ষতির প্রক্রিয়া
যখন আইজিবিটি স্নুবার ফিল্ম ক্যাপাসিটার একটি বাহ্যিক বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রে থাকে, তখন অন্তরক উপাদান (অর্থাত্ ফিল্ম ডাইলেট্রিক) এর অভ্যন্তরে বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রে সংকেতটি শোষণ করে এবং ছড়িয়ে দেয়। এই প্রক্রিয়াটি কেবল সংকেত শক্তির ক্ষতির কারণ নয়, তবে শক্তি রূপান্তর এবং অপচয় হ্রাসের সাথেও রয়েছে। বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের কারণে প্রতি ইউনিট সময় গ্রাস করা এই শক্তিটিকে ডাইলেট্রিকের ক্ষতি শক্তি বা সংক্ষেপে ডাইলেট্রিক ক্ষতি বলা হয়। ডাইলেট্রিক ক্ষতির প্রজন্ম মূলত অন্তরক উপাদানগুলির অভ্যন্তরে মাইক্রোস্ট্রাকচারাল বৈশিষ্ট্য এবং বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের ক্রিয়াকলাপের অধীনে মেরুকরণ প্রক্রিয়া থেকে উদ্ভূত হয়।

বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের ক্রিয়াকলাপের অধীনে, অন্তরক উপাদানের অভ্যন্তরের ডিপোলগুলি ওরিয়েন্টেড এবং মেরুকৃত করা হবে। তবে, যেহেতু ডিপোলগুলির চলাচলকে একটি নির্দিষ্ট প্রতিরোধকে কাটিয়ে উঠতে হবে, তাই মেরুকরণ প্রক্রিয়াটি তাত্ক্ষণিকভাবে সম্পন্ন হয় না, তবে একটি নির্দিষ্ট হিস্টেরেসিস প্রভাব রয়েছে। এই হিস্টেরেসিস প্রভাবটি বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের শক্তি তাপ শক্তিতে রূপান্তর করার প্রক্রিয়াতে হারিয়ে যায়, অর্থাত্ ডাইলেট্রিক ক্ষতি।

2। ক্যাপাসিটর পারফরম্যান্সে ডাইলেট্রিক ক্ষতির প্রভাব
এর পারফরম্যান্সে ডাইলেট্রিক ক্ষতির অনেক প্রভাব রয়েছে আইজিবিটি স্নুবার ফিল্ম ক্যাপাসিটারগুলি । প্রথমত, ডাইলেট্রিক ক্ষতির ফলে ক্যাপাসিটারটি অপারেশন চলাকালীন উত্তপ্ত হয়ে ওঠে এবং এর অভ্যন্তরীণ তাপমাত্রা বৃদ্ধি করে। যদি তাপমাত্রা বাড়তে থাকে তবে এটি কেবল ক্যাপাসিটরের নিরোধক কর্মক্ষমতা হ্রাস করবে না, তবে ডাইলেট্রিক উপাদানগুলির তাপীয় বৃদ্ধির কারণ হতে পারে, যার ফলে ক্যাপাসিটারের পরিষেবা জীবনকে সংক্ষিপ্ত করে তোলে।

দ্বিতীয়ত, ডাইলেট্রিক ক্ষতি ক্যাপাসিটরের সমতুল্য সিরিজ প্রতিরোধের (ইএসআর) বাড়িয়ে তুলবে এবং এর ক্যাপাসিট্যান্স মানের কার্যকর ব্যবহারের হার হ্রাস করবে। এর ফলে ক্যাপাসিটরের কার্যকারিতা উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনগুলির অধীনে অবনতি ঘটায়, আইজিবিটি-র স্যুইচিং গতি এবং দক্ষতা প্রভাবিত করে। একই সময়ে, বর্ধিত ইএসআর সার্কিটের মধ্যে অনুরণনও হতে পারে এবং সার্কিটের স্বাভাবিক ক্রিয়াকলাপে হস্তক্ষেপ করতে পারে।

তদতিরিক্ত, অতিরিক্ত ডাইলেট্রিক ক্ষতির ফলে ক্যাপাসিটার ব্রেকডাউন ব্যর্থতাও হতে পারে। যখন ডাইলেট্রিক ক্ষতির ফলে ক্যাপাসিটরের অভ্যন্তরীণ তাপমাত্রা খুব বেশি হয়, তখন অন্তরক উপাদানের অন্তরণ কার্যকারিতা তীব্রভাবে হ্রাস পাবে। এই মুহুর্তে, যদি ক্যাপাসিটার দ্বারা বহন করা ভোল্টেজটি তার রেটেড ভোল্টেজের মানকে ছাড়িয়ে যায় তবে এটি একটি ভাঙ্গন ব্যর্থতার কারণ হতে পারে, ফলে ক্যাপাসিটারের ক্ষতি হতে পারে এবং এমনকি সার্কিট সিস্টেমের একটি শর্ট-সার্কিট ব্যর্থতাও ঘটায়।

3। ডাইলেট্রিক ক্ষতি হ্রাস করার ব্যবস্থা
আইজিবিটি স্নুবার ফিল্ম ক্যাপাসিটরের ডাইলেট্রিক ক্ষতি হ্রাস করতে এবং এর কার্যকারিতা স্থিতিশীলতা উন্নত করার জন্য, নিম্নলিখিত ব্যবস্থাগুলি নেওয়া যেতে পারে:

লো-লস ডাইলেট্রিক উপকরণ নির্বাচন করুন: ক্যাপাসিটারের ডাইলেট্রিক স্তর হিসাবে কম-ক্ষয় বৈশিষ্ট্যযুক্ত অন্তরক উপকরণ নির্বাচন করা কার্যকরভাবে ডাইলেট্রিক ক্ষতি হ্রাস করতে পারে।
ক্যাপাসিটার কাঠামোকে অনুকূল করুন: ক্যাপাসিটরের কাঠামোগত নকশাকে অনুকূল করে যেমন ডাইলেট্রিক স্তরটির বেধ বৃদ্ধি এবং ইলেক্ট্রোড এবং ডাইলেট্রিকের মধ্যে যোগাযোগের ইন্টারফেসের উন্নতি করা, ডাইলেট্রিক ক্ষতি হ্রাস করা যায় এবং ক্যাপাসিটরের স্থায়িত্ব উন্নত করা যায়।
কাজের পরিবেশ নিয়ন্ত্রণ করুন: ক্যাপাসিটরের কাজের পরিবেশের স্থায়িত্ব বজায় রাখা এবং অত্যধিক তাপমাত্রা এবং অতিরিক্ত আর্দ্রতার মতো প্রতিকূল কারণগুলির প্রভাব এড়ানো ডাইলেট্রিক ক্ষতি হ্রাস করতে এবং ক্যাপাসিটরের পরিষেবা জীবনকে প্রসারিত করতে সহায়তা করতে পারে।
নিয়মিত পরিদর্শন এবং রক্ষণাবেক্ষণ: সম্ভাব্য ত্রুটিযুক্ত বিপদগুলি তাত্ক্ষণিকভাবে সনাক্ত করতে এবং মোকাবেলায় ক্যাপাসিটারের নিয়মিত পরিদর্শন এবং রক্ষণাবেক্ষণ ক্যাপাসিটরের দীর্ঘমেয়াদী স্থিতিশীল অপারেশন নিশ্চিত করতে পারে .3৩৩৩৩৩৩৩৩৩৩৩৩৩৩৩৩৩৩৩৩৩৩৩